SI1302DL-T1-BE3
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Vishay Siliconix SI1302DL-T1-BE3
| Artikelnummer: | SI1302DL-T1-BE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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Vishay Siliconix SI1302DL-T1-BE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI1302DL-T1-BE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse SC-70-3 Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 600mA, 10V Verlustleistung (max) 280mW (Ta) Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 Paket Tape & Reel (TR) Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 600mA (Ta) Grundproduktnummer SI1302 -
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